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產(chǎn)品中心

  • BIWIN LPDDR4，-20℃~85℃

    LPDDR全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一種，主要以低功耗為特點(diǎn)。 BIWIN Low Power DDR提供包括從高性能到高性價(jià)比的RAM解決方案。最新一代的LPDDR4具有比LPDDR3高50%的性能提升；同時(shí)，更低的功耗和更高的頻率，讓設(shè)備運(yùn)行更加順暢。查看詳細(xì)

  • BIWIN LPDDR5，-25℃-85℃

    LPDDR5支持多Bank Group模式，傳輸速率從4266Mbps提升至6400Mbps，多組電壓動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)，功耗降低30%；高性能、低功耗、更安全可靠和多容量選擇，佰維LPDDR5內(nèi)存方案將有效滿足中高端智能手機(jī)、平板電腦、汽車(chē)等各種智能終端對(duì)內(nèi)存芯片的需求。查看詳細(xì)

  • BIWIN LPDDR5X，-25℃~85℃

    面向高性能終端設(shè)備AI應(yīng)用，佰維存儲(chǔ)推出了新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X。產(chǎn)品采用了1bnm制程工藝，與上一代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)傳輸速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量為8GB、12GB、16GB（ES階段），為高端智能手機(jī)、平板、筆記本電腦、5G設(shè)備等設(shè)備提供卓越的性能與節(jié)能優(yōu)勢(shì)。 采用1bnm制程工藝 數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8533Mbps 先進(jìn)時(shí)鐘技術(shù)和電路設(shè)計(jì) 先進(jìn)信號(hào)完整性和抗干擾技術(shù) 優(yōu)化動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)查看詳細(xì)

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